リチウム電池保護プレートの原理は何ですか？

リチウム電池の保護機能は、通常、保護回路基板とPTCなどの電流デバイスによって実行されます。保護プレートは、-40°C〜 + 85°Cの時点でコアの電圧と充電および放電ループを正確に監視する電子回路で構成されています。電流、時間内に電流回路を制御します。 PTCは、高温環境でのバッテリーの損傷を防ぎます。

通常のリチウム電池保護パネルには、通常、制御IC、MOSスイッチ、抵抗、コンデンサ、および補助デバイスFUSE、PTC、NTC、ID、メモリなどが含まれます。これらの中で、制御ICは、すべての通常の状態でMOSスイッチを制御します。コアと外部回路がオンになり、コア電圧またはループ電流が指定値を超えると、コアの安全を保護するために、MOSスイッチを即座にオフに制御します。

通常の保護状態では、Vddが高く、Vss、VMが低く、DO、COが高く、Vdd、Vss、VMのいずれか1つのパラメーター変換時に、DOまたはCO端子のレベルが変化します。

リチウム電池保護プレートの原理

リチウム電池（充電式）が保護を必要とする理由は、その特性によって決まります。リチウム電池自体の材質により、過充電、過放電、オーバーフロー、短絡、超高温充電および放電ができないと判断されているため、リチウム電池のリチウム電源アセンブリは常に絶妙な保護プレートと電流に従います。ヒューズ。

リチウム電池の保護機能は、通常、保護回路基板とPTCなどの電流デバイスによって実行されます。保護プレートは、-40°C〜 + 85°Cの時点でコアの電圧と充電および放電ループを正確に監視する電子回路で構成されています。電流、時間内に電流回路を制御します。 PTCは、高温環境でのバッテリーの損傷を防ぎます。

通常のリチウム電池保護パネルには、通常、制御IC、MOSスイッチ、抵抗、コンデンサ、および補助デバイスFUSE、PTC、NTC、ID、メモリなどが含まれます。これらの中で、制御ICは、すべての通常の状態でMOSスイッチを制御します。コアと外部回路がオンになり、コア電圧またはループ電流が指定値を超えると、コアの安全を保護するために、MOSスイッチを即座にオフに制御します。

リチウム電池の保護板原理の詳細な分析

通常の保護状態では、Vddが高く、Vss、VMが低く、DO、COが高く、Vdd、Vss、VMのいずれか1つのパラメーター変換時に、DOまたはCO端子のレベルが変化します。

1、過充電検出電圧：通常の状態では、Vddは高レベルから低レベルのVDD-VSS電圧に徐々に増加します。

2、過充電放電電圧：充電状態では、Vddは低レベルから高電圧VDD-VSS電圧まで徐々にCO端まで低下します。

3、過放電検出電圧：通常の状態では、Vddは高レベルから低レベルのVDD-VSS電圧に徐々に低下します。

4、過放電解除電圧：過放電状態では、D端がローからハイに変化すると、Vddは徐々にVDD-VSS電圧まで上昇します。

5、過電流1検出電圧：通常の状態では、VMは高電圧から低電圧のVM-VSS電圧から徐々にDOに上昇します。

6、過電流2検出電圧：通常の状態では、OVからOまでのVMは、高電圧から低電圧のVM-VSS電圧まで1msまたは4ms以上の速度で終了します。

7、負荷短絡検出電圧：通常の状態では、VMは1μSの速度でOVからO端まで、または高から低のVM-VSS電圧まで50μS以上上昇します。

8、充電器検出電圧：過放電状態では、VMは低レベルから高レベルのVM-VSS電圧まで徐々にDOに低下しました。

9、電流は通常、動作時に消費されます。通常の状態では、VDD端子の電流（IDD）は動作時に消費される電流です。

10、過放電は電流を消費します：放電状態では、VDD端子を流れる電流（IDD）は過放電が電流を消費します。

典型的なリチウム電池保護回路

リチウム電池の化学的性質により、通常の使用では、電気エネルギーと化学エネルギーの内部化学反応が相互に変換されますが、特定の条件下では、過充電、過放電、および過電流が発生すると、バッテリーの場合、この副作用はバッテリーの性能と寿命に深刻な影響を及ぼし、大量のガスを発生させる可能性があります。バッテリーの内圧が急激に上昇し、安全上の問題が発生します。したがって、すべてのリチウム電池には、電池の充電状態と放電状態を効果的に監視するための保護回路が必要です。また、特定の条件下では、バッテリーの損傷を防ぐために充電および放電回路を閉じます

保護ループは、2つのMOSFET（V1、V2）と制御IC（N1）、およびいくつかのブロッキングコンポーネントで構成されています。制御ICは、バッテリ電圧と回路電流を監視し、2つのMOSFETのゲートを制御する役割を果たします。 MOSFETは回路内でスイッチングの役割を果たし、充電回路と放電回路のステアリングとクローズをそれぞれ制御します。 C3は遅延コンデンサです。この回路には、過充電保護、過放電保護、過電流保護、および短絡保護の機能があります。その動作原理は次のように分析されます。

1、正常状態

通常の状態では、N1の「C」フィートと「D」フィートの両方が高電圧にエクスポートされ、両方のMOSFETが導通状態にあります。バッテリーは自由に充電および放電できます。 MOSEFTのスイッチングインピーダンスは小さく、通常は30 mm未満であるため、その導通抵抗は回路の性能にほとんど影響を与えません。この状態で保護回路が消費する電流はμAで、通常は7μA未満です。

このページには、機械翻訳の内容が含まれています。